HFU1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFU1N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 19 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 11.5 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFU1N60
HFU1N60 Datasheet (PDF)
1.1. sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf 
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IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) (Ω)VGS = 10 V 7.0 • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 • Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing
1.2. irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf Size:244K _vishay
IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) (?)VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Single Full
1.3. hfu1n60.pdf Size:209K _shantou-huashan
N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU1N60 █ APPLICATIONSL TO-251 high-Speed Switching. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯-55~150℃ 1―G Tj ——Operating Junction Temperature ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃ 2―D PD —— Allowable Power Dissipation（Tc=25℃）
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
