STP55NE06 Todos los transistores

 

STP55NE06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP55NE06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP55NE06 datasheet

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STP55NE06

STP55NE06 STP55NE06FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE " SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP55NE06 60 V

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STP55NE06

STP55NE06L STP55NE06LFP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE " SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP55NE06L 60 V

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STP55NE06

STP55NE06 STP55NE06FP N-CHANNEL 60V - 0.019 - 55A TO-220/TO-220FP "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET Table 1. General Features Figure 1. Package Type VDSS RDS(on) ID STP55NE06 60 V

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 stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP55NE06

STB55NF06 - STB55NF06-1 STP55NF06 - STP55NF06FP N-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB55NF06 60V

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History: AOB2144L | SM1A11NSK | WMN28N65F2

 

 

 

 

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