STP55NE06FP Todos los transistores

 

STP55NE06FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP55NE06FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP55NE06FP Datasheet (PDF)

 5.1. Size:115K  st
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STP55NE06FP

STP55NE06LSTP55NE06LFPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NE06L 60 V

 5.2. Size:383K  st
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STP55NE06FP

STP55NE06STP55NE06FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NE06 60 V

 5.3. Size:261K  st
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STP55NE06FP

STP55NE06STP55NE06FPN-CHANNEL 60V - 0.019 - 55A TO-220/TO-220FP"SINGLE FEATURE SIZE" POWER MOSFETTable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTP55NE06 60 V

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History: HUFA76423S3ST | P06P03LDG | FDP52N20 | HM12N20D | NCE65TF099F

 

 
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