STP55NE06FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP55NE06FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для STP55NE06FP
STP55NE06FP Datasheet (PDF)
stp55ne06l.pdf

STP55NE06LSTP55NE06LFPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NE06L 60 V
stp55ne06.pdf

STP55NE06STP55NE06FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NE06 60 V
stp55ne06-fp.pdf

STP55NE06STP55NE06FPN-CHANNEL 60V - 0.019 - 55A TO-220/TO-220FP"SINGLE FEATURE SIZE" POWER MOSFETTable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTP55NE06 60 V
Другие MOSFET... 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , SD2932 , STK1820F , STP55NE06 , AO3400 , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G , AO3701 , AO4420A , AO4433 .
History: JCS8N65V | IRFR020 | HCD70R910 | CMP80N06 | HY3007PS | IRL7833LPBF
History: JCS8N65V | IRFR020 | HCD70R910 | CMP80N06 | HY3007PS | IRL7833LPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor