AO4420A Todos los transistores

 

AO4420A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4420A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8 SOIC8
 

 Búsqueda de reemplazo de AO4420A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AO4420A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  aosemi
 ao4420a.pdf pdf_icon

AO4420A

AO4420A30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4420A uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), shoot-through immunityID = 13.7A (VGS = 10V)and body diode characteristics. This device isRDS(ON)

 8.1. Size:165K  aosemi
 ao4420.pdf pdf_icon

AO4420A

AO442030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4420 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), shoot-through immunityID = 13.7A (VGS = 10V)and body diode characteristics. This device isRDS(ON)

 8.2. Size:1448K  kexin
 ao4420.pdf pdf_icon

AO4420A

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4420 (KO4420)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 13.7 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 10.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 12m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V G

 8.3. Size:834K  cn vbsemi
 ao4420.pdf pdf_icon

AO4420A

AO4420www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO-8

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G , AO3701 , TK10A60D , AO4433 , AO4456 , AO4458 , AO4474 , AO4607 , AO4614 , AO4617 , AO4708 .

History: FQP32N12V2 | IRF260C | 2021 | SSG4874N | STB150NF55 | APT6025SVFRG | BL3N100E-U

 

 
Back to Top

 


 
.