AO4420A Todos los transistores

 

AO4420A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4420A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: SO8 SOIC8

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AO4420A datasheet

 ..1. Size:165K  aosemi
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AO4420A

AO4420A 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4420A uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity ID = 13.7A (VGS = 10V) and body diode characteristics. This device is RDS(ON)

 8.1. Size:165K  aosemi
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AO4420A

AO4420 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4420 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity ID = 13.7A (VGS = 10V) and body diode characteristics. This device is RDS(ON)

 8.2. Size:1448K  kexin
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AO4420A

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4420 (KO4420) SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 13.7 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 10.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 12m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V G

 8.3. Size:834K  cn vbsemi
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AO4420A

AO4420 www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8

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