AO4726 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4726  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: SO8 SOIC8

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AO4726 datasheet

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AO4726

AO4726 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4726 uses advanced trench ID =18A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. RDS(ON)

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AO4726

AO4724 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4724 uses advanced trench ID = 10.5A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

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AO4726

AO4722 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4722 uses advanced trench ID =11.6A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and RDS(ON)

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AO4726

AO4720 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4720 uses advanced trench ID =13A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

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