AO4728 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4728 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 693 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
Encapsulados: SOIC8
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AO4728 datasheet
ao4728.pdf
AO4728 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary VDS (V) = 30V SRFETTM AO4728 uses advanced trench technology ID = 20A (VGS = 10V) with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON)
ao4728.pdf
AO4728 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.004 at VGS = 10 V 18 30 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.005 at VGS = 4.5 V 16 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-
ao4724.pdf
AO4724 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4724 uses advanced trench ID = 10.5A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)
ao4722.pdf
AO4722 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4722 uses advanced trench ID =11.6A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and RDS(ON)
Otros transistores... AO4458, AO4474, AO4607, AO4614, AO4617, AO4708, AO4722, AO4726, AON7410, AO4772, AO4916, AO4916L, AO4926, AO4928, AO6806, AO8803, AO8806
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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