AO4916 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4916  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm

Encapsulados: SOIC8

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AO4916 datasheet

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AO4916

AO4916 30V Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Product Summary The AO4916 uses advanced trench technology to provide Q1(N-Channel) Q2(N-Channel) excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS= 30V 30V make a compact and efficient switch and synchronous ID= 8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V) rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

 0.1. Size:370K  aosemi
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AO4916

Rev 3 Nov 2004 AO4916, AO4916L( Green Product ) Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features VDS (V) = 30V The AO4916 uses advanced trench technology to ID = 8.5A provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The RDS(ON)

 9.1. Size:650K  aosemi
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AO4916

AO4914 30V Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Product Summary The AO4914 uses advanced trench technology to provide Q1(N-Channel) Q2(N-Channel) excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS= 30V 30V make a compact and efficient switch and synchronous ID= 8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V) rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

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AO4916

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4914 (KO4914) SOP-8 Unit mm Features N-Channel 1 VDS (V) = 30V 1.50 0.15 ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 20.5m (VGS = 10V) 1 S1/A 5 D2 RDS(ON) 28m (VGS = 4.5V) 2 G1 6 D2 7 D1/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

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