AON4602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON4602
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.2 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON4602

AON4602 Datasheet (PDF)

..1. Size:147K aosemi
aon4602.pdf

AON4602Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AON4602 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 20V -20Vcomplementary MOSFETs form a high-speed power ID = 4.2A -3.4A (VGS= 4.5V)inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AON4602

8.1. Size:419K aosemi
aon4605.pdf

AON460530V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AON4605 uses advanced trench technology to N-Channel P-Channelprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS= 30V -30Vcomplementary MOSFETs form a high-speed power ID= 4.3A (VGS=10V) -3.4A (VGS=-10V)inverter, suitable for a multitude of applications. RDS(ON) RDS(ON)

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History: IXFT44N50P | PHB143NQ04T

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: