2SK0664G0L Todos los transistores

 

2SK0664G0L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK0664G0L

Código: 3N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Tiempo de elevación (tr): 10* nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 50 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC85

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2SK0664G0L Datasheet (PDF)

1.1. 2sk0664g0l.pdf Size:76K _update

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Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK0664 (2SK664) Silicon N-Channel MOS FET unit: mm 0.15+0.10 0.3+0.1 –0.05 For switching –0.0 3 Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto- 1 2 matic insertion through the tape/magazine packing. (0.65) (0.65) 1.3±0.1 2.0±0.2 10° Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol R

3.1. 2sk066400l.pdf Size:76K _update

2SK0664G0L
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Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK0664 (2SK664) Silicon N-Channel MOS FET unit: mm 0.15+0.10 0.3+0.1 –0.05 For switching –0.0 3 Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto- 1 2 matic insertion through the tape/magazine packing. (0.65) (0.65) 1.3±0.1 2.0±0.2 10° Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol R

 4.1. 2sk066500l.pdf Size:220K _update

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Silicon MOSFETs (Small Signal) 2SK0665 (2SK665) Silicon N-channel MOSFET Unit: mm For switching circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 –0.05 –0.0 3 ■ Features • High-speed switching • Small drive current owing to high input inpedance 1 2 • High electrostatic breakdown voltage (0.65) (0.65) 1.3±0.1 ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C 2.0±0.2 Parameter Symbol Rating Unit

4.2. 2sk0665g0l.pdf Size:220K _update

2SK0664G0L
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Silicon MOSFETs (Small Signal) 2SK0665 (2SK665) Silicon N-channel MOSFET Unit: mm For switching circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 –0.05 –0.0 3 ■ Features • High-speed switching • Small drive current owing to high input inpedance 1 2 • High electrostatic breakdown voltage (0.65) (0.65) 1.3±0.1 ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C 2.0±0.2 Parameter Symbol Rating Unit

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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