Справочник MOSFET. 2SK0664G0L

 

2SK0664G0L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK0664G0L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tonⓘ - Время включения: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: SC85

 Аналог (замена) для 2SK0664G0L

 

 

2SK0664G0L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  panasonic
 2sk0664g0l.pdf

2SK0664G0L 2SK0664G0L

Silicon MOS FETs (Small Signal)2SK0664 (2SK664)Silicon N-Channel MOS FETunit: mm0.15+0.100.3+0.10.05For switching 0.03 Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-1 2matic insertion through the tape/magazine packing.(0.65) (0.65)1.30.12.00.210 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol R

 7.1. Size:76K  panasonic
 2sk066400l.pdf

2SK0664G0L 2SK0664G0L

Silicon MOS FETs (Small Signal)2SK0664 (2SK664)Silicon N-Channel MOS FETunit: mm0.15+0.100.3+0.10.05For switching 0.03 Features High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-1 2matic insertion through the tape/magazine packing.(0.65) (0.65)1.30.12.00.210 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol R

 8.1. Size:220K  panasonic
 2sk066500l 2sk0665g0l.pdf

2SK0664G0L 2SK0664G0L

Silicon MOSFETs (Small Signal)2SK0665 (2SK665)Silicon N-channel MOSFETUnit: mmFor switching circuits0.15+0.100.3+0.10.050.03 Features High-speed switching Small drive current owing to high input inpedance1 2 High electrostatic breakdown voltage(0.65) (0.65)1.30.1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25C2.00.2Parameter Symbol Rating Unit

 9.1. Size:107K  panasonic
 2sk0601.pdf

2SK0664G0L 2SK0664G0L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOSFETs (Small Signal)2SK0601 (2SK601)Silicon N-channel MOSFETUnit: mmFor switching circuits4.50.11.60.2 1.50.1 Features Low drain-souce ON resistance RDS(on) High-speed switching Allowing to be driven directly by CMOS and TTL1 23 Mini-power type package, allowing downsizing of t

 9.2. Size:193K  panasonic
 2sk0615.pdf

2SK0664G0L 2SK0664G0L

Silicon MOS FETs (Small Signal)2SK0615 (2SK615)Silicon N-Channel MOS FETFor switchingUnit: mm Features Low ON-resistance 2.50.16.90.1(1.0)(1.5) High-speed switching(1.5) Allowing to be driven directly by CMOS and TTLR 0.9 M type package, allowing easy automatic and manual insertion asR 0.7well as stand-alone fixing to the printed circuit board. Absolute Max

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top