2SK1004 Todos los transistores

 

2SK1004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 310 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK1004 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK1004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  fuji
 2sk1004.pdf pdf_icon

2SK1004

 8.1. Size:245K  1
 2sk1007-01.pdf pdf_icon

2SK1004

FUJI POWER MOSFET2SK1007-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaxi

 8.2. Size:515K  1
 2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf pdf_icon

2SK1004

 8.3. Size:211K  1
 2sk1006-01mr.pdf pdf_icon

2SK1004

FUJI POWER MOSFET2SK1006-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220F15Low on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulators2.54UPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDECSC-67EIAJEquivalent circuit schematicMax

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AON6716 , 2SK0601 , 2SK0615 , 2SK066400L , 2SK0664G0L , 2SK066500L , 2SK0665G0L , 2SK1001 , IRF540 , 2SK1005 , 2SK1006 , 2SK1006-01M , 2SK1007 , 2SK3628 , 2SK3634 , 2SK3634-Z , 2SK3635 .

History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
Back to Top

 


 
.