2SK1004 Todos los transistores

 

2SK1004 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 310 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK1004 datasheet

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2SK1004

FUJI POWER MOSFET 2SK1007-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- II SERIES Outline Drawings Features High current TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGSS= 30V Guarantee Applications Switching regulators UPS DC-DC converters 3. Source General purpose power amplifier JEDEC TO-220AB EIAJ SC-46 Equivalent circuit schematic Maxi

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2SK1004

FUJI POWER MOSFET 2SK1006-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- II SERIES Outline Drawings Features High current TO-220F15 Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGSS= 30V Guarantee Applications Switching regulators 2.54 UPS DC-DC converters 3. Source General purpose power amplifier JEDEC SC-67 EIAJ Equivalent circuit schematic Max

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