Справочник MOSFET. 2SK1004

 

2SK1004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   ton ⓘ - Время включения: 310 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK1004

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  fuji
 2sk1004.pdf pdf_icon

2SK1004

 8.1. Size:245K  1
 2sk1007-01.pdf pdf_icon

2SK1004

FUJI POWER MOSFET2SK1007-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaxi

 8.2. Size:515K  1
 2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf pdf_icon

2SK1004

 8.3. Size:211K  1
 2sk1006-01mr.pdf pdf_icon

2SK1004

FUJI POWER MOSFET2SK1006-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220F15Low on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulators2.54UPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDECSC-67EIAJEquivalent circuit schematicMax

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6716 , 2SK0601 , 2SK0615 , 2SK066400L , 2SK0664G0L , 2SK066500L , 2SK0665G0L , 2SK1001 , IRF540 , 2SK1005 , 2SK1006 , 2SK1006-01M , 2SK1007 , 2SK3628 , 2SK3634 , 2SK3634-Z , 2SK3635 .

History: AON6816 | CEM3258 | HGB050N14S | TPM2008EP3 | DAMI220N200 | AO4453

 

 
Back to Top

 


 
.