2SK1008 Todos los transistores

 

2SK1008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1008
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220C
 

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2SK1008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  inchange semiconductor
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2SK1008

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1008DESCRIPTIONDrain Current I =4.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 0.1. Size:133K  fuji
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2SK1008

 8.1. Size:245K  1
 2sk1007-01.pdf pdf_icon

2SK1008

FUJI POWER MOSFET2SK1007-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaxi

 8.2. Size:515K  1
 2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf pdf_icon

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History: IPB114N03LG | SM4066CSK

 

 
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