IRF9410 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9410  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SO8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IRF9410 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRF9410 datasheet

 ..1. Size:114K  international rectifier
 irf9410.pdf pdf_icon

IRF9410

PD - 9.1562A IRF9410 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology A A 1 8 S D Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V 2 7 N-Channel MOSFET S D Surface Mount 3 6 S D Very Low Gate Charge and 4 5 G D Switching Losses RDS(on) = 0.030 Fully Avalanche Rated Top View Description Recommended upgrade IRF7403 or IRF7413 Fifth Generation HEXFETs from Internationa

 ..2. Size:170K  international rectifier
 irf9410pbf.pdf pdf_icon

IRF9410

PD - 95260 IRF9410PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l N-Channel MOSFET VDSS = 30V 2 7 l Surface Mount S D l Very Low Gate Charge and 3 6 S D Switching Losses 4 5 G D RDS(on) = 0.030 l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Top View Description Recommended upgrade IRF7403 or IRF7413 Fifth Generation HEXFETs from Int

Otros transistores... IRF841, IRF841FI, IRF842, IRF843, IRF9130, IRF9140, IRF9230, IRF9240, IRLB3034, IRF9510, IRF9510S, IRF9511, IRF9512, IRF9513, IRF9520, IRF9520N, IRF9520NL