IRF9510 Todos los transistores

 

IRF9510 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9510
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRF9510 datasheet

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IRF9510

PD- 95410 IRF9510PbF Lead-Free 06/15/04 Document Number 91072 www.vishay.com 1 IRF9510PbF Document Number 91072 www.vishay.com 2 IRF9510PbF Document Number 91072 www.vishay.com 3 IRF9510PbF Document Number 91072 www.vishay.com 4 IRF9510PbF Document Number 91072 www.vishay.com 5 IRF9510PbF Document Number 91072 www.vishay.com 6 IRF9510PbF Document Number 91... See More ⇒

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IRF9510

IRF9510, SiHF9510 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 8.7 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 2.2 Fast Switching Qgd (nC) 4.1 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requi... See More ⇒

 ..4. Size:271K  vishay
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IRF9510

IRF9510 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES S Dynamic dV/dt rating TO-220AB Repetitive avalanche rated Available P-channel Available G 175 C operating temperature Fast switching Ease of paralleling S Simple drive requirements D G D Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 P... See More ⇒

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History: IRF9510S

 

 
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