IRF9522 Todos los transistores

 

IRF9522 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9522

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220

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IRF9522 datasheet

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IRF9522

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IRF9522

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IRF9522

PD- 95412 IRF9520PbF Lead-Free 06/15/04 Document Number 91074 www.vishay.com 1 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 2 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 3 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 4 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 5 IRF9520PbF Document Number 91074 www.vishay.com 6 IRF9520PbF Document Number 91

 8.3. Size:160K  international rectifier
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IRF9522

PD - 95411 IRF9520NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.48 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated ID = -6.8A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

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History: IRF9533

 

 

 

 

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