2SK4006-01SJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK4006-01SJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.58 Ohm
Encapsulados: TO263
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2SK4006-01SJ datasheet
2sk4006-01s-l-sj.pdf
SPECIFICATION Device Name Power MOSFET Type Name 2SK4006-01L,S,SJ Spec. No. MS5F6095 Date Apr.-11-2005 Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. Matsumoto Factory NAME DATE APPROVED Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd. DRAWN Apr.-11-'05 CHECKED Apr.-11-'05 MS5F6095 1 / 21 CHECKED Apr.-11-'05 H04-004-05 This datasheet has been downloaded from http //www.digchip.com
2sk4002.pdf
2SK4002 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS V) 2SK4002 Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm MAX Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 4.2 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 1.7 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max)
2sk4003.pdf
2SK4003 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) 2SK4003 Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm MAX Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.7 (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS =
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