2SK1124 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1124
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: TO3PN
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2SK1124 datasheet
2sk1124.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1124 FEATURES Drain Current I = 45A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 30m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
2sk1120.pdf
2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance Y 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.5 3.5 V (V = 10 V, I = 1
Otros transistores... 2SK4006-01L , 2SK4006-01S , 2SK4006-01SJ , 2SK1112 , 2SK1113 , 2SK1114 , 2SK1115 , 2SK1116 , IRFB31N20D , 2SK113R , 2SK113O , 2SK113Y , 2SK1159 , 2SK1163 , 2SK1164 , 2SK1169 , 2SK2351 .
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Liste
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MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
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