2SK1124 - аналоги и даташиты транзистора

 

2SK1124 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SK1124
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для 2SK1124

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1124 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  toshiba
 2sk1124.pdf pdf_icon

2SK1124

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
 2sk1124.pdf pdf_icon

2SK1124

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1124FEATURESDrain Current I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 30m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 8.1. Size:454K  toshiba
 2sk1120.pdf pdf_icon

2SK1124

2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.5~3.5 V (V = 10 V, I = 1

 8.2. Size:380K  nec
 2sk1122.pdf pdf_icon

2SK1124

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK4006-01L , 2SK4006-01S , 2SK4006-01SJ , 2SK1112 , 2SK1113 , 2SK1114 , 2SK1115 , 2SK1116 , IRF730 , 2SK113R , 2SK113O , 2SK113Y , 2SK1159 , 2SK1163 , 2SK1164 , 2SK1169 , 2SK2351 .

History: SSPL6005 | AOD425

 

 
Back to Top

 


 
.