Справочник MOSFET. 2SK1124

 

2SK1124 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK1124
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для 2SK1124

 

 

2SK1124 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  toshiba
 2sk1124.pdf

2SK1124 2SK1124

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
 2sk1124.pdf

2SK1124 2SK1124

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1124FEATURESDrain Current I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 30m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 8.1. Size:454K  toshiba
 2sk1120.pdf

2SK1124 2SK1124

2SK1120 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSII.5) 2SK1120 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | 4.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 300 A (max) (V = 800 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.5~3.5 V (V = 10 V, I = 1

 8.2. Size:380K  nec
 2sk1122.pdf

2SK1124 2SK1124

 8.3. Size:442K  nec
 2sk1123.pdf

2SK1124 2SK1124

 8.4. Size:259K  inchange semiconductor
 2sk1120.pdf

2SK1124 2SK1124

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1120FEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1000V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.8(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top