2SK2359-Z Todos los transistores

 

2SK2359-Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2359-Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de 2SK2359-Z MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SK2359-Z datasheet

 7.1. Size:90K  nec
2sk2359 2sk2360.pdf pdf_icon

2SK2359-Z

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2359/2SK2360 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel (in millimeters) MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. 10.6 MAX. 4.8 MAX. 3.6 0.2 1.3 0.2 10.0 FEATURES Low On-Resistance 4 2SK2359 RDS(o

 8.1. Size:417K  toshiba
2sk2350.pdf pdf_icon

2SK2359-Z

2SK2350 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2350 Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.26 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 8 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 200 V) DS Enhance

 8.2. Size:499K  toshiba
2sk2352.pdf pdf_icon

2SK2359-Z

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 8.3. Size:55K  nec
2sk2357 2sk2358.pdf pdf_icon

2SK2359-Z

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2357/2SK2358 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2357/2SK2358 is N-Channel MOS Field Effect Transistor (in millimeters) designed for high voltage switching applications. 4.5 0.2 10.0 0.3 3.2 0.2 FEATURES 2.7 0.2 Low On-Resistance 2SK2357 RDS(on) = 0.9 (VGS = 10 V, ID =

Otros transistores... 2SK113O , 2SK113Y , 2SK1159 , 2SK1163 , 2SK1164 , 2SK1169 , 2SK2351 , 2SK2359 , AON7403 , 2SK2360 , 2SK2360-Z , 2SK2361 , 2SK2362 , 2SK2365 , 2SK2365-Z , 2SK2366 , 2SK2366-Z .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

Popular searches

irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087

 

 

↑ Back to Top
.