IRF9530N Todos los transistores

 

IRF9530N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9530N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF9530N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  international rectifier
 irf9530npbf.pdf pdf_icon

IRF9530N

IRF9530NPbF l Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt Rating DSS l 175C Operating Temperaturel Fast Switching DS(on) l P-ChannelGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription

 ..2. Size:113K  international rectifier
 irf9530n.pdf pdf_icon

IRF9530N

PD - 91482CIRF9530NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.20 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -14ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon are

 ..3. Size:1531K  cn vbsemi
 irf9530npbf.pdf pdf_icon

IRF9530N

IRF9530NPBFwww.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.167 at VGS = - 10 V- 18- 100 37 100 % Rg and UIS Tested0.180 at VGS = - 4.5 V - 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Power Swi

 ..4. Size:241K  inchange semiconductor
 irf9530n.pdf pdf_icon

IRF9530N

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9530N,IIRF9530NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.2Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONCombine with the fast switching speed and ruggedized devicedesign,provide the designer with an extremely efficient andrelia

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF9520 , IRF9520N , IRF9520NL , IRF9520NS , IRF9521 , IRF9522 , IRF9523 , IRF9530 , IRFZ44N , APT5015BLC , IRF9530NL , IRF9530NS , IRF9531 , IRF9532 , IRF9533 , IRF9540 , IRF9540N .

 

 
Back to Top

 


 
.