IRF9530N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9530N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9530N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9530N даташит

 ..1. Size:225K  international rectifier
 irf9530npbf.pdf pdf_icon

IRF9530N

IRF9530NPbF l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175 C Operating Temperature l Fast Switching DS(on) l P-Channel G l Fully Avalanche Rated D l Lead-Free S Description

 ..2. Size:113K  international rectifier
 irf9530n.pdf pdf_icon

IRF9530N

PD - 91482C IRF9530N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.20 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -14A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon are

 ..3. Size:1531K  cn vbsemi
 irf9530npbf.pdf pdf_icon

IRF9530N

IRF9530NPBF www.VBsemi.tw P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.167 at VGS = - 10 V - 18 - 100 37 100 % Rg and UIS Tested 0.180 at VGS = - 4.5 V - 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-220AB Power Swi

 ..4. Size:241K  inchange semiconductor
 irf9530n.pdf pdf_icon

IRF9530N

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9530N,IIRF9530N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.2 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Combine with the fast switching speed and ruggedized device design,provide the designer with an extremely efficient and relia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9520, IRF9520N, IRF9520NL, IRF9520NS, IRF9521, IRF9522, IRF9523, IRF9530, IRFZ44N, APT5015BLC, IRF9530NL, IRF9530NS, IRF9531, IRF9532, IRF9533, IRF9540, IRF9540N