2SK1879 Todos los transistores

 

2SK1879 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1879
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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2SK1879 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  inchange semiconductor
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2SK1879

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1879 DESCRIPTION Drain Current ID=45A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Switching power supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 60 V VGS Gate-Source Voltage 30 V I

 8.1. Size:287K  toshiba
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2SK1879

2SK1875 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK1875 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High |Yfs|: |Yfs| = 25 mS (typ.) Low C : C = 7.5 pF (typ.) iss issMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitGate-drain voltage

 8.2. Size:199K  fuji
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 8.3. Size:622K  hitachi
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History: STF7N95K3 | LSF65R125HT | SWP540 | 2SK3712-Z | LP1480WT1G | 2SK2926L

 

 
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