2SK1879 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK1879
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для 2SK1879
2SK1879 Datasheet (PDF)
2sk1879.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1879 DESCRIPTION Drain Current ID=45A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Switching power supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 60 V VGS Gate-Source Voltage 30 V I
2sk1875.pdf

2SK1875 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK1875 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High |Yfs|: |Yfs| = 25 mS (typ.) Low C : C = 7.5 pF (typ.) iss issMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitGate-drain voltage
Другие MOSFET... 2SK4078-ZK , 2SK4079 , 2SK4079A , 2SK1831 , 2SK1836 , 2SK1855 , 2SK1858 , 2SK1865 , 12N60 , 2SK1913 , 2SK1915 , 2SK1927 , 2SK1928 , 2SK2224-01R , 2SK2225-80-E , 2SK2228 , 2SK2230 .
History: RU120N15Q | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | IPB023N06N3G | AFC6602 | AOB9N70L | FTQ02N65B
History: RU120N15Q | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | IPB023N06N3G | AFC6602 | AOB9N70L | FTQ02N65B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor