2SK796 Todos los transistores

 

2SK796 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK796

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TOP3F

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2SK796 datasheet

 ..1. Size:197K  inchange semiconductor
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2SK796

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK796 DESCRIPTION Drain Current I =3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

 0.1. Size:71K  panasonic
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2SK796

 0.2. Size:197K  inchange semiconductor
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2SK796

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK796A DESCRIPTION Drain Current I =3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =900V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

 9.1. Size:3136K  1
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2SK796

Otros transistores... 2SK888 , 2SK889 , 2SK890 , 2SK891 , 2SK892 , 2SK893 , 2SK894 , 2SK897-M , IRF520 , 2SK796A , 2SK807 , 2SK818 , 2SK818A , 2SK951-M , 2SK956-01R , 2SK957-M , 2SK957-MR .

 

 

 


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