2SK818A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK818A 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO247AD

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de 2SK818A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2SK818A datasheet

..1. Size:203K inchange semiconductor
2sk818a.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK818A DESCRIPTION Drain Current I =5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =900V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

8.1. Size:146K panasonic
2sk818-a.pdf pdf_icon

8.2. Size:203K inchange semiconductor
2sk818.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK818 DESCRIPTION Drain Current I =5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

9.1. Size:355K 1
2sk815.pdf pdf_icon