2SK1016-01 Todos los transistores

 

2SK1016-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1016-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SK1016-01 Datasheet (PDF)

0.1. 2sk1016-01.pdf Size:176K _fuji

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7.1. 2sk1016.pdf Size:1624K _fuji

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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1016DESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 500 VDSS GS

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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