2SK1023-01 Todos los transistores

 

2SK1023-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1023-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 65 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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2SK1023-01 Datasheet (PDF)

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1022 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 900 V DSS GS V Gat

4.2. 2sk1024-01.pdf Size:160K _update

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