2SK4066-E Todos los transistores

 

2SK4066-E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK4066-E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 630 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm

Encapsulados: TO263 TO262

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2SK4066-E datasheet

 6.1. Size:52K  sanyo
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2SK4066-E

Ordering number ENA0225A 2SK4066 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK4066 Applications Features Low ON-resistance. Load switching applications. Avalanche resistance guarantee. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-

 6.2. Size:285K  onsemi
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2SK4066-E

Ordering number ENA0225C 2SK4066 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 100A, 4.7m , TO-262-3L/TO-263-2L Features ON-resistance RDS(on)1=3.6m (typ.) Input capacitance Ciss=12500pF (typ.) 4V drive Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Voltage VGSS

 7.1. Size:377K  sanyo
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2SK4066-E

2SK4066 Ordering number ENA0225B SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK4066 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=3.6m (typ.) Input capacitance Ciss=12500pF (typ.) 4V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60

 7.2. Size:357K  inchange semiconductor
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2SK4066-E

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4066B FEATURES Drain Current I =100A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.7m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

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History: IPB090N06N3 | IRF623FI | 2SJ181S | CS3N50B4 | STD64N4F6AG | SM9998DSQG | SI2301B

 

 

 

 

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