2SK565 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK565

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK565

2SK565 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk565.pdf Size:53K _update

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK565 FEATURES ·Drain Current –ID=9.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Fast Switching Speed DESCRIPTION ·Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

5.1. 2sk568.pdf Size:256K _update