2SK765 Todos los transistores

 

2SK765 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK765

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 70* nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm

Empaquetado / Estuche: TOP3F

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2SK765 Datasheet (PDF)

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1.2. 2sk765a.pdf Size:242K _update-mosfet

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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK765A DESCRIPTION ·Drain Current –I = 10A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V = 450V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, con

 1.3. 2sk765.pdf Size:235K _update-mosfet

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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK765 DESCRIPTION ·Drain Current –I = 10A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V = 400V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, conv

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