2SK4161D MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2SK4161D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK4161D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 132 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 490 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK4161D datasheet

..1. Size:355K sanken-ele
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http //www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Mar. 2014 Features Package Low on-resistance TO-3P Built-in gate protection diode Applications Electric power steering High current switching Key Specifications V = 60V (I =100 A) (BR)DSS D R = 4.8m max. (V =10V, I =35A) DS(ON) GS D R = 6.0m max. (V =8V, I =35A) DS(ON)

..2. Size:259K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4161D FEATURES Drain Current I =100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.8m (Max) 100% avalanche tested DS(on) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies . ABSOLUTE MAXIMUM

8.1. Size:47K hitachi
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8.2. Size:286K inchange semiconductor
2sk416s.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK416S FEATURES Drain Current I = 2.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.8 (Max) @ V = 15V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

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