2SK490 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK490

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK490 datasheet

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2SK494 Silicon N-Channel Junction FET Application Low frequency / High frequency amplifier Outline SPAK 1. Drain 1 2 2. Gate 3 3. Source 2SK494 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDS 22 V Gate to source voltage VGSO 22 V Drain current ID 100 mA Gate current IG 10 mA Channel power dissipation Pch 300 mW Channel temperatu

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ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION http //www.idc-com.co.jp 6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPAN Keep safety in your circuit designs ! Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble

Otros transistores... 2SK4146-S19-AY, 2SK4147, 2SK4161D, 2SK422, 2SK425, 2SK433, 2SK448, 2SK484, 10N60, 2SK1030A, 2SK1032, 2SK1032A, 2SK1038, 2SK1039, 2SK1040, 2SK1059-Z, 2SK1060-Z