2SK490 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK490
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK490

2SK490 Datasheet (PDF)

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2SK494Silicon N-Channel Junction FETApplicationLow frequency / High frequency amplifierOutlineSPAK1. Drain122. Gate33. Source2SK494Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 22 VGate to source voltage VGSO 22 VDrain current ID 100 mAGate current IG 10 mAChannel power dissipation Pch 300 mWChannel temperatu

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ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONhttp://www.idc-com.co.jp6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPANKeep safety in your circuit designs !Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble

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Liste

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