2SK672 Todos los transistores

 

2SK672 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK672
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SK672 datasheet

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2SK672

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK672 DESCRIPTION Drain Current ID= 10A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS= 60V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high Current, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA

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History: IXTH31N20MA | IXTH27N35MA

 

 

 


 
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