2SK678 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK678
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK678

2SK678 Datasheet (PDF)

..1. Size:235K inchange semiconductor
2sk678.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK678DESCRIPTIONDrain Current I =13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor

9.1. Size:71K toshiba
2sk673.pdf

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2sk674.pdf

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2sk672.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK672 DESCRIPTION Drain Current ID= 10A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high Current, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: