2SK1377 Todos los transistores

 

2SK1377 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1377
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK1377 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK1377 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  inchange semiconductor
 2sk1377.pdf pdf_icon

2SK1377

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1377 DESCRIPTION Drain Current ID=5.5A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=400V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 400 V

 8.1. Size:150K  sanyo
 2sk1375.pdf pdf_icon

2SK1377

 8.2. Size:33K  panasonic
 2sk1374.pdf pdf_icon

2SK1377

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK13742SK1374Silicon N-Channel MOSUnit : mmFor switching2.1 0.10.425 1.25 0.1 0.425 Features High-speed switching1 Wide frequency band Gate-protection diode built-in 3 2.5V drive possible2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)0.2 0.1Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source voltage V 50 VDS1 : GateGate-Source voltage

 8.3. Size:41K  no
 2sk1378.pdf pdf_icon

2SK1377

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK777 , 2SK783 , 2SK784 , 2SK785 , 2SK786 , 2SK788 , 2SK789 , 2SK790 , IRFP460 , 2SK1378 , 2SK1379 , 2SK1380 , 2SK1384 , 2SK1384R , 2SK1385-01R , 2SK1386-01 , 2SK1548-01MR .

History: SM6012NSU | WMK12N80M3 | IRFU48Z | TK62J60W5 | STD10P6F6 | BSC600N25NS3G | WNMD6003

 

 
Back to Top

 


 
.