2SK1377. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1377

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK1377

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1377 даташит

 ..1. Size:56K  inchange semiconductor
 2sk1377.pdf pdf_icon

2SK1377

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1377 DESCRIPTION Drain Current ID=5.5A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=400V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 400 V

 8.1. Size:150K  sanyo
 2sk1375.pdf pdf_icon

2SK1377

 8.2. Size:33K  panasonic
 2sk1374.pdf pdf_icon

2SK1377

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK1374 2SK1374 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 2.1 0.1 0.425 1.25 0.1 0.425 Features High-speed switching 1 Wide frequency band Gate-protection diode built-in 3 2.5V drive possible 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 0.2 0.1 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 50 V DS 1 Gate Gate-Source voltage

 8.3. Size:41K  no
 2sk1378.pdf pdf_icon

2SK1377

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK777, 2SK783, 2SK784, 2SK785, 2SK786, 2SK788, 2SK789, 2SK790, IRFP460, 2SK1378, 2SK1379, 2SK1380, 2SK1384, 2SK1384R, 2SK1385-01R, 2SK1386-01, 2SK1548-01MR