2SK2715TL Todos los transistores

 

2SK2715TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2715TL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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2SK2715TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  rohm
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2SK2715TL

TransistorsSwitching (500V, 2A)2SK2715FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Wide SOA (safe operating area).4) Gate-source voltage (VGSS) guaran-teed to be 30V.5) Easily designed drive circuits.6) Easy to use in parallel.FStructureSilicon N-channel MOSFETFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)FPackaging specificati

 7.1. Size:138K  rohm
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2SK2715TL

TransistorsSwitching (500V, 2A)2SK2715FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Wide SOA (safe operating area).4) Gate-source voltage (VGSS) guaran-teed to be 30V.5) Easily designed drive circuits.6) Easy to use in parallel.FStructureSilicon N-channel MOSFETFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)FPackaging specificati

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2SK2715TL

 7.3. Size:925K  cn vbsemi
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2SK2715TL

2SK2715www.VBsemi.twPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Compliant to RoHS di

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History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | IXTX20N140 | FDS5170N7

 

 
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