2SK1536 Todos los transistores

 

2SK1536 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1536
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK1536 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  shindengen
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2SK1536

2SK1530 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK1530 Unit: mmHigh-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS = 200 V High forward transfer admittance : |Yfs| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS 200 VGate-source voltage VGSS 20 V

 8.2. Size:327K  toshiba
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History: HUFA76423S3ST | P06P03LDG | FDP52N20 | HM12N20D | NCE65TF099F

 

 
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