2SK2885S Todos los transistores

 

2SK2885S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2885S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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2SK2885S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  inchange semiconductor
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2SK2885S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2885SFEATURESDrain Current : I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

 7.1. Size:34K  hitachi
 2sk2885l-s.pdf pdf_icon

2SK2885S

2SK2885(L), 2SK2885(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-545 A2nd. EditionFeatures Low on-resistanceRDS(on) = 10m typ. 4V gate drive devices. High speed switchingOutlineLDPAK4 4D123123G 1. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK2885(L), 2SK2885(S)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDr

 7.2. Size:38K  hitachi
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2SK2885S

2SK2885(L), 2SK2885(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-545 A2nd. EditionFeatures Low on-resistanceRDS(on) = 10m typ. 4V gate drive devices. High speed switchingOutlineLDPAK4 4D123123G 1. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK2885(L), 2SK2885(S)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDr

 7.3. Size:282K  inchange semiconductor
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2SK2885S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2885LFEATURESDrain Current : I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

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History: SVF4N60RD | SI2304DDS | APM9966C | NCE8295AI | PSMN8R3-40YS | AM35N03-40D

 

 
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