2SK2885S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2885S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 2SK2885S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2885S даташит

 ..1. Size:356K  inchange semiconductor
 2sk2885s.pdf pdf_icon

2SK2885S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2885S FEATURES Drain Current I = 45A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 14m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 7.1. Size:34K  hitachi
 2sk2885l-s.pdf pdf_icon

2SK2885S

2SK2885(L), 2SK2885(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-545 A 2nd. Edition Features Low on-resistance RDS(on) = 10m typ. 4V gate drive devices. High speed switching Outline LDPAK 4 4 D 1 2 3 1 2 3 G 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain S 2SK2885(L), 2SK2885(S) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Dr

 7.2. Size:38K  hitachi
 2sk2885.pdf pdf_icon

2SK2885S

2SK2885(L), 2SK2885(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-545 A 2nd. Edition Features Low on-resistance RDS(on) = 10m typ. 4V gate drive devices. High speed switching Outline LDPAK 4 4 D 1 2 3 1 2 3 G 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain S 2SK2885(L), 2SK2885(S) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Dr

 7.3. Size:282K  inchange semiconductor
 2sk2885l.pdf pdf_icon

2SK2885S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2885L FEATURES Drain Current I = 45A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 14m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2807-01L, 2SK2807-01S, 2SK2808-01MR, 2SK2809-01MR, 2SK2857C, 2SK2858, 2SK2880, 2SK2885L, EMB04N03H, 2SK2770-01, 2SK3516-01L, 2SK3516-01S, 2SK3516-01SJ, 2SK3517-01, 2SK3518-01MR, 2SK3519-01, 2SK3520-01MR