IRF9Z24 Todos los transistores

 

IRF9Z24 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9Z24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRF9Z24 datasheet

 ..1. Size:1214K  international rectifier
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IRF9Z24

PD- 95415 IRF9Z24PbF Lead-Free 06/14/04 Document Number 91090 www.vishay.com 1 IRF9Z24PbF Document Number 91090 www.vishay.com 2 IRF9Z24PbF Document Number 91090 www.vishay.com 3 IRF9Z24PbF Document Number 91090 www.vishay.com 4 IRF9Z24PbF Document Number 91090 www.vishay.com 5 IRF9Z24PbF Document Number 91090 www.vishay.com 6 IRF9Z24PbF Document Number 91

 ..2. Size:174K  international rectifier
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IRF9Z24

 ..3. Size:196K  vishay
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IRF9Z24

IRF9Z24, SiHF9Z24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Require

 ..4. Size:197K  vishay
 irf9z24pbf sihf9z24.pdf pdf_icon

IRF9Z24

IRF9Z24, SiHF9Z24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Require

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