2SK849 Todos los transistores

 

2SK849 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK849

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.038 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK849

 

2SK849 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk849.pdf Size:60K _update

2SK849
2SK849

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK849 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=60V(Min) APPLICATIONS ·Designed especially for low voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor controls,relay and solenoid drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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