IRF9Z24S Todos los transistores

 

IRF9Z24S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9Z24S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF9Z24S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF9Z24S datasheet

 ..1. Size:311K  international rectifier
 irf9z24s.pdf pdf_icon

IRF9Z24S

PD - 9.912A IRF9Z24S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9Z24S) VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z24L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.28 Fast Switching G P- Channel ID = -11A Fully Avalanche Rated S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

 ..2. Size:167K  vishay
 irf9z24s sihf9z24s irf9z24l sihf9z24l.pdf pdf_icon

IRF9Z24S

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S) Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4

 ..3. Size:193K  vishay
 irf9z24spbf sihf9z24l sihf9z24s.pdf pdf_icon

IRF9Z24S

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S) Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4

 7.1. Size:168K  international rectifier
 irf9z24ns.pdf pdf_icon

IRF9Z24S

PD - 91742A IRF9Z24NS/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9Z24NS) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF9Z24NL) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.175 P-Channel G Fast Switching ID = -12A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achi

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF9Z14S , IRF9Z15 , IRF9Z20 , IRF9Z22 , IRF9Z24 , IRF9Z24N , IRF9Z24NL , IRF9Z24NS , IRF1010E , IRF9Z25 , IRF9Z30 , IRF9Z32 , IRF9Z34 , IRF9Z34N , IRF9Z34NL , IRF9Z34NS , IRF9Z34S .

History: IRF9Z24N

 

 

 


 
↑ Back to Top
.