2SK3512-01S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK3512-01S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK3512-01S

2SK3512-01S Datasheet (PDF)

4.1. Size:308K fuji
2sk3512-01l-s-sj.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/2SK3512-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G Series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline DrawingsFeaturesHigh speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsP4UPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteris

7.1. Size:283K inchange semiconductor
2sk3512l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3512LFEATURESDrain Current : I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.52(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

7.2. Size:357K inchange semiconductor
2sk3512s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3512SFEATURESDrain Current : I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.52(Max) @VGS= 10VDS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: