2SK3513-01S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3513-01S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO263

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2SK3513-01S datasheet

 4.1. Size:259K  fuji
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2SK3513-01S

2SK3513-01L,S,SJ 200303 FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings [mm] Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof P4 Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unl

 7.1. Size:357K  inchange semiconductor
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2SK3513-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3513S FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.75 (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 7.2. Size:283K  inchange semiconductor
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2SK3513-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3513L FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.75 (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

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