2SK3581-01SJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK3581-01SJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK3581-01SJ

2SK3581-01SJ Datasheet (PDF)

4.1. Size:251K fuji
2sk3581-01l-s-sj.pdf

2SK3581-01L,S,SJ200304FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline Drawings [mm]Super FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofP4ApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unle

7.1. Size:282K inchange semiconductor
2sk3581l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3581LFEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.46(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

7.2. Size:356K inchange semiconductor
2sk3581s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3581SFEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.46(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: