AF1333P Todos los transistores

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AF1333P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AF1333P

Código: 3*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.55 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT323

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AF1333P Datasheet (PDF)

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AF1333P
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AF1333P P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - Fast Switching Speed with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = -20V RDS (on) = 800mΩ. ID = -550mA Pin Assignments Pin Descrip

5.1. af1332n.pdf Size:263K _update

AF1333P
AF1333P

AF1332N N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = 20V RDS (on) = 600mΩ. ID = 600mA Pin Assignments

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