AF1333P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AF1333P
   Código: 3*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AF1333P

AF1333P Datasheet (PDF)

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af1333p.pdf

AF1333PP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - Fast Switching Speed with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = -20V RDS (on) = 800m. ID = -550mA Pin Assignments Pin Descrip

9.1. Size:263K anachip
af1332n.pdf

AF1332NN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = 20V RDS (on) = 600m. ID = 600mA Pin Assignments

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Liste

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