2N7218 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7218
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 max nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
Encapsulados: TO254
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2N7218 datasheet
2n7218 2n7219 2n7221 2n7222.pdf
2N7218, JANTX2N7218, JANTXV2N7218 2N7221, JANTX2N7221, JANTXV2N7221 2N7219, JANTX2N7219, JANTXV2N7219 2N7222, JANTX2N7222, JANTXV2N7222 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/596 100V Thru 500V, Up to 28A, N-Channel, MOSFET Power Transistor, Repetitive Avalanche Rated FEATURES Repetitive Avalanche Rating Isolated and Hermetically Sealed L
2n7218u.pdf
IRFN140 SEME 2N7218U LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 28A RDS(on) 0.077 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE RE
2n7219u.pdf
PD - 91548C IRFN240 JANTX2N7219U JANTXV2N7219U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 200V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN240 0.18 18A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-
Otros transistores... 2N7119 , 2N7120 , 2N7121 , 2N7122 , 2N7123 , 2N7124 , 2N7125 , 2N7126 , SI2302 , 2N7219 , 2N7220 , 2N7221 , 2N7224 , 2N7225 , 2N7227 , 2N7227JV , 2N7227JX .
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